IT之家 4 月 23 日消息，印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管，能够模拟蝗虫的神经元来实现避障功能，有望降低未来人工智能的能源消耗。图源 Pexels自动驾驶和机器人自主移动一直是机器学习和人工智能研发人员梦寐以求的目标，而避障则是这项技术能否在现实世界落地应用的关键。为此，双方研究人员致力于创造一种能以极低功耗实现避障的解决方案。研究人员在研究避障行为时，发现蝗虫身上有一种名为“小叶巨人运动检测器 (LGMD)”的神经元，当大型物体接近蝗虫时，该
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晶体管 人工智能
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。1 晶体管BJT的工作原理让我们从经典的NPN晶体
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晶体管 BJT MOSFET
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
一、晶体管的功能晶体管具有放大和开关电信号的功能。 比如在收音机中，会扩大（放大）空中传输过来的非常微弱的信号，并通过扬声器播放出来。这就是晶体管的放大作用。 另外，晶体管还能仅在事先确定的信号到达时才工作，这时发挥的是开关作用。 我们常听到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶体管的集合体，是晶体管构成了其功能的基础。【晶体管的基本功能示意图】作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压（约0.7V以上）并流过微小电流时，晶体管会导通，电流会在
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晶体管
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
MOS晶体管表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。在上一篇文章中，我们介绍了基本的MOSFET结构和工作区域。我们讨论的模型描绘了一个理想的MOSFET，并且由于其较长的沟道尺寸，对于早期的MOSFET来说是相当准确的。然而，随后的研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶体管行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。寄生电容由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容：CGS
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MOSEFT 晶体管
台积电、英特尔都在规划如何走向万亿级晶体管。
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晶体管
01 IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）IGBT综合了以
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IGBT 晶体管 基础知识
IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管将通道分割成一堆薄硅片，完全被栅包围。IBM的高级研究员鲍汝强表示：“纳米片器件结构使我们能够在指甲大小的空间内容纳50亿个晶体管。”这些晶体管有望取代当前的FinFET技术，并被用于IBM的首个2纳米原型处理器。纳米片技术是逻辑器件逐步缩小的下一步，将其与液氮冷却技术搭配可能会带来更好的性能。研究人员发现，在77K的温度下运行，与在大约300K的室温条件下运行相比，设备
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IBM 芯片 晶体管
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
● HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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3d 晶体管介绍
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